2016年度

[受賞]

  1. 平成28年電子デバイス研究会論文発表奨励賞：宮崎健人，阪井那央哉，永井滋一，岩田達夫，梶原和夫，畑浩一, “層間反強磁性Cr(001)を用いた電界放出電子のスピン偏極度の安定化” 
  2. 平成28年電子デバイス研究会論文発表奨励賞：若本実，永井滋一，岩田達夫，梶原和夫，畑浩一, “電界誘起酸素エッチングによるナノ突起エミッタの形成過程の検証” 

[学術論文]

  1. Keisuke Komaki, Shigekazu Nagai, Tatsuo Iwata, Kazuo Kajiwara and Koichi Hata “Abundance of field-ionized ion species and current stability of ion beam emitted in He?Ne gas mixture” Surface and Interface Analysis, 48，pp.1139～1143（2016). 
  2. Shigekazu Nagai, Ken Kawamura, Yoshihide Kimura, Junji Yoshii, Renzo Ikeda and Ryuichi Shimizu“An advanced ionizing radiation monitoring network based on using SrI2(Eu)/MPPC module”  Surface and Interface Analysis 48，pp.1263～1268（2016). 
  3. Shigekazu Nagai, Shu Katoh, Tatsuo Iwata, Kazuo Kajiwara and Koichi Hata, “Effect of height and atomic arrangement of the super-tip of a gas field ion emitter on helium ion beam current”  Surface and Interface Analysis 48，pp.1132～1135（2016）.
  4.  Shigekazu Nagai, Kento Miyazaki, Naoya Sakai, Tatsuo Iwata, Kazuo Kajiwara, and Kouichi Hata, “Spin polarization of electrons field-emitted from Cr thin film deposited on W<001> tips”TECHNICAL DIGEST 2016 29th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC) pp.83～84(2016).

[国際会議]

  1. Shigekazu Nagai, Kento Miyazaki, Naoya Sakai, Tatsuo Iwata, Kazuo Kajiwara, and Kouichi Hata, “Spin polarization of electrons field-emitted from Cr thin film deposited on W<001> tips”, 29th International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC)　“ 

[国内会議]

  1. 後藤敬典， KALITA Golap，種村眞幸，本田光裕，市川洋，境悠治，永井滋一，兼松渉, 日本学術振興会マイクロビームアナリシス第１４１委員会１６４回研究会  “フラーレンとグラフェンのAES・SE特性”  (2016)
  2. 永井滋一，河村憲，木村吉秀，角森史昭，吉井淳治，杉山誠，太田朗生，佐藤典仁，竹内宣博，志水隆一“福島支援定点観測ネットワークの構築—活動報告”  日本学術振興会マイクロビームアナリシス第１４１委員会１６４回研究会（201605）堀場製作所 
  3. 若本実，永井滋一，岩田達夫，梶原和夫，畑浩一, “電界誘起酸素エッチングによるナノ突起エミッタの形成過程の検証” 電子情報通信学会ED研究会（201610）三重大学  
  4. 宮崎健人，阪井那央哉，永井滋一，岩田達夫，梶原和夫，畑浩一,  三重大学 “層間反強磁性Cr(001)を用いた電界放出電子のスピン偏極度の安定化” 電子情報通信学会ED研究会（201610）
  5. 小林健道，永井滋一 ,岩田達夫 ,梶原和夫 ,畑浩一 “高輝度液体Ｌｉ電子源を用いた高強度Ｘ線励起” 2016年真空・表面科学合同講演会（201612）名古屋国際会議場 
  6. 若本実，永井滋一 ,岩田達夫 ,梶原和夫 ,畑浩一, “アトムプローブ法による低温電界誘起酸化プロセスのその場分析”  2016年真空・表面科学合同講演会（201612）名古屋国際会議場 
  7. 若本実，永井滋一，岩田達夫，梶原和夫，畑浩一, “電界誘起ガスエッチングによるナノ突起エミッタの形成過程の検証”, 第１６回日本表面科学会中部支部学術講演会（201612）名古屋大学   
  8. 永井滋一，宮崎健人，阪井那央哉，岩田達夫，梶原和夫，畑浩一 , “反強磁性Crを用いた電界放出型スピン偏極電子源の開発” 日本学術振興会真空ナノエレクトロニクス第158委員会第115回研究会（201612）滋賀県立県民交流センター [招待講演]
  9. 永井滋一，若本実，岩田達夫，梶原和夫，畑浩一, “電界誘起酸素エッチングによるナノ突起構造体の形成過程とHeイオン放出特性” 第１４回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム（201703）アクトシティー浜松